Artık 3nm sürecinde üretilen yongalar oldukça yakınımızda bulunuyor ancak TSMC ve Samsung’un yeni işlem sürecindeki verimlilikleri arasında büyük farkların olduğu ortaya çıktı.
Birden çok analist ve uzmana atıfta bulunan Business Next kaynaklı rapor, TSMC’nin 3nm sürecindeki verimlilikte Samsung Foundry’den önemli ölçüde daha iyi olduğunu ortaya koyuyor. Rapora göre TSMC’nin 3nm yongaları ürünlerde kullanılabilecek seviyede ama Samsung’un yürümesi gereken halen uzun bir yol var.
Esasında�Samsung Foundry‘nin yüksek hacimli�3GAE�(3nm, Gate All Around) çip üretimine ve örneklemesine TSMC’ye göre birkaç ay daha önce geçiş yaptı. Fakat firma istenilen verimliliği halen daha yakalayamamış durumda. Öyle ki aradan geçen aylar boyunca�Samsung’un 3nm�verimliliğinin�halen daha yüzde 10 ila yüde 20 arasında olduğu iddia ediliyor. Öte yandan�TSMC�tarafından gelen bilgiler, yarı iletken devinin N3 (3nm) sürecinde�yüzde 60 ila yüzde 80 verimlikte olduğunu gösteriyor.
Hatta aktarılanlara göre TSMC’nin 3m sürecinde elde ettiği kazanımlar yüzde 80 verimlilik ile birleştirildiğinde 5nm ile aynı seviyede performans elde edilebileceği söylenmekte. Fakat göz ardı edilmemesi gereken önemli bir faktörün bulunduğunu da söylememiz gerekiyor. Bu verimlilik seviyeleri ne Samsung ne de TSMC tarafından onaylanmış değil. Rapor, Samsung’un aylardır hiçbir gelişim göstermediğini iddia ediyor ancak bu durum pek olası durmuyor.
Öte yandan TSMC’nin 3nm sürecinin en büyük ve ilk müşterisi Apple olacak. Bununla birlikte TSMC daha istikrarlı ve verimli N3E üretim sürecine de 2023’ün sonlarında geçecek. Ardından daha gelişmiş N3P teknolojisine geçiş yapılarak verimlilik ve performans kazanımları bir kez daha artacak. Samsung’un da benzer yol haritası mevcut ve yakın bir zamanda onlardan da yeni bilgiler geldiğini görebiliriz.